出力電圧５ｍVの一般的カートリッジでも、２０ｋHzでは５０ｍV出るわけです。もし平均レベルの１０倍、つまり０,５Vくらい入って来た場合、CRイコライザーのヘッドエンドは大変です。
例えば１７０倍のゲインを持ったヘッドエンドでは、それによって発生する８０V（P-P:220V）の出力をクリア出来るダイナミックレンジを持たせる必要があります。
つまり、このあたりの信号電圧レベルから、トランジスタでは追随しにくい、まさに真空管ならではの世界へと入り込んで行くわけです。
初段１５０倍の６AU６を通過後、まず中域以上のみを低下させ、ゲインが１０倍程度の２段目に入ります。
ここは初段ほどでは無いにしろダイナミックレンジがあり、３００Vp-pをこなす出力電圧を出せ、かつ高域低下用EQ素子とのアイソレートを行う役割があるので、電流帰還を持たせた６AU６の３結としました。
このように、このプリアンプでは、２段目で２種類のEQ素子を隔離させているため、EQ素子相互の影響が無く、それぞれ単純な計算値通りの素子設定が出来ます。
最後はチョークフォロワのバッファによる低いインピーダンスをもって極力低い値のボリュームを通過後、マルチチャンネルに送り出す計画です。
０,５ｍVからの小信号を扱うプリアンプながら、CR型イコライザーのS/Nをマジで良くしようとすると、初段管や次段管に強力なダイナミックレンジを持たせる設計を行わないと、最後に高域低下を行いS/Nを上げることが出来ないのです。
そこで多くのCR型EQはS/Nの悪化を尻目に、初段管の入り口で高域の低下を行ったり、増幅率の低い初段管（トランジスタなら初段ユニット）を使ったりして、なんとか体裁を整えることで今日に至り、これがCR型EQの音とされてきました。
例えば±３０Vくらいの供給電圧で設計したDCプリアンプなら、実質スイング幅２５VとしてもRMSで１７Vですから、０,５Vの入力に対しては３５倍がヘッドアンプのゲインの限界になってしまいます。
そしてこればかりの増幅率のため、何個ものトランジスタが差動だのカレントミラーだのとへばり付いて動き回り、結局ドリフト防止のコンデンサーを通過後、やっと出力電圧が出されるわけです。
下の図がそうした過去のやり方と決別するため設計した回路で、参考までに図の下部に帯域別平均的信号レベルおよび高域のピークレベル(RMS)を表記してあります。
バッファ回路は１０Vを１ｋΩ以下の出力インピーダンスで送り出せる能力がある球と、バイアス電圧＝（動作電流）×（チョークの直流抵抗）の組み合わせに対応するチョークコイルを見つける必要があります。
今回は図のように東栄変成器のチョークを使う予定ですが、バッファ用の球に小型のパワー管を起用してしまうと、いきなり使用電力が増え、PTのリーケージフラックスが増大してしまいます。
この事はプリアンプ本体によるカートリッジへの影響や、、MCカートリッジ用トランスの設置範囲に不利ということで、６AU６を起用しました。
まずヘッドエンド単体の性能実験を行なった結果、定格の１０倍である１０KHｚ、５００ｍV入力時、出力電圧７２Vにおいて歪率が８％にまで及ぶものの、顕著な波形のクリップは起きません。
この懐の深さが今回製作するプリアンプの「キモ」であり、高電圧を得意とする真空管ならではの「売り」となっています。
いくら微小入力で低歪を誇っても、大入力時クリップしてはいけません。なにしろこの部分は、入力レベルの調整が出来ないのですから。
２段目の６AU６(t)はゲインが１５倍ほどで、７V入力時、出力電圧は１１０V（３００V P-P)が４％のj歪で取り出せ、実際はヘッドエンドとの歪打消しでさらに低歪となるでしょう。ｆ特は６０KHｚで−０,５ｄB、８０KHｚで−２ｄBとなっています。
バッファ段の6AU6(t)チョークフォロワはゲイン１倍弱で発振器の最大出力７Vまで０,４％の歪です。出力インピーダンスは２００Ωとなり、１６Ωのスピーカーを直接つないでも結構な音量で鳴ってくれます。
周波数特性は２００KHｚあたりでもフラットで、５００KHｚの矩形波も写真の通りです。
これで製作に入る準備が出来ました。依頼者には入院などで昨年より相当待っていただいているため、早急に製作に取り掛かりたいと思います。ただし待っていただいた間に２πファンなど新しい機構も出てきました
つづく
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